先端材料工学科の学生が、砥粒加工学会から卒業研究発表会「ポスタープレゼンテーション賞」を受賞しました

平川　陽大（ひらかわ　ようた）

先端材料工学科４年（坂本幸弘研究室）

 

窒化ガリウムは次世代半導体として期待されている材料です。そのGaNをデバイスとして使用するために化学機械研磨（CMP）を行うのですが、長時間研磨をしないといけないという課題があります。そのため、効率的なCMP技術が求められています。そこで本研究では、窒化ガリウム表面の酸化による効率的なCMP技術の実現のため、電解硫酸への浸漬で酸化を行ったGaNの表面状態について検討しました。実験および分析の結果、電解硫酸に浸漬することによって、GaN表面の平坦化および酸化が可能であった。

受賞することができ光栄です。また、ご指導くださった坂本先生ありがとうございました。