先端材料工学科の学生が、表面技術協会から「第32回学術奨励講演賞」を受賞しました

平川　陽大（ひらかわ　ようた）

先端材料工学科４年（坂本幸弘研究室）

 

単結晶化合物であるGaNおよびSiCはバンドギャップが大きい材料であるため、パワー半導体として使用するための研究が行われています。しかし、これらは高硬度であるため化学機械研磨（CMP）に時間を要します。そこで、電解硫酸に浸漬することによって酸化することによって新たなCMP技術の開発につながるのではないかと考え、電解硫酸によるワイドバンドギャップ材料の酸化について検討しました。 　SiCを電解硫酸に浸漬し酸化した結果、表面が平坦化し、材料表面は酸化しました。特に、SiCにおいては通常三員環と多員環ですが電解硫酸に浸漬することにより表面構造が三員環になることが明らかとなりました。

研究の成果を評価していただいてとても嬉しかったです。また、ご指導いただいた坂本先生に心から感謝いたします。